金融界2024年4月29日消息,据国家知识产权局公告,扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“一种点状残留改善方法“,授权公告号CN112582263B,申请日期为2019年9月。
专利摘要显示,一种颗粒机点状残留改善方法。涉及一种半导体制造技术分立器件制造技术领域,尤其涉及一种点状残留改善方法。提供了一种操作方便,可有效避免氧化层或颗粒影响的晶片刻蚀残留方法。本发明中晶圆传送到位后,Gap调整稳定至0颗粒机.9cm;腔体内压力保持在650mt,通过200sccm的CF4,250W功率运行BT步35s,刻蚀Wafer表面自然氧化层;在保证BT Step刻蚀速率的前提下,调整BT Step Gap(穿通刻蚀颗粒机步骤硅片与上电极之间的间隙)与ME Step Gap(主刻蚀步骤硅片与上电极之间的间隙)一致,避免上电极往下运动过程中在Wafer(硅片)表面引入缺陷,从而改善Poly(多晶硅)点状残留,提高产品良率颗粒机。
本文源自金融界
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