金融界2024年4月29日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“一种点状残留改善方法“，授权公告号CN112582263B，申请日期为2019年9月。
专利摘要显示，一种颗粒机点状残留改善方法。涉及一种半导体制造技术分立器件制造技术领域，尤其涉及一种点状残留改善方法。提供了一种操作方便，可有效避免氧化层或颗粒影响的晶片刻蚀残留方法。本发明中晶圆传送到位后，Gap调整稳定至0颗粒机.9cm；腔体内压力保持在650mt，通过200sccm的CF4，250W功率运行BT步35s，刻蚀Wafer表面自然氧化层；在保证BT Step刻蚀速率的前提下，调整BT Step Gap（穿通刻蚀颗粒机步骤硅片与上电极之间的间隙）与ME Step Gap（主刻蚀步骤硅片与上电极之间的间隙）一致，避免上电极往下运动过程中在Wafer（硅片）表面引入缺陷，从而改善Poly（多晶硅）点状残留，提高产品良率颗粒机。
本文源自金融界
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